Central Semiconductor CXT5551TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-89

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160 V

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

CXT5551TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

0.86

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.2 W

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.2W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200 mV

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

50nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

160V

转换频率

300 MHz

最大击穿电压

160 V

频率转换

300MHz

最大耗散功率(Abs)

1.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

80

集电极-发射器电压-最大值

160 V

VCEsat-最大值

0.2 V

集电极-基极电容-最大值

6 pF

无铅

无铅