Central Semiconductor Corp 2N5953

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

供应商未定义

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

360mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6pF @ 15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.005A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.36W

反馈上限-最大值 (Crss)

2 pF

最高频段

极高频率 b

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

2.5mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

800mV @ 100nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30V

电阻-RDS(On)

375Ohm

功率增益-最小值(Gp)

5dB

RoHS状态

符合RoHS标准