CMLDM5757 TR PBFREE
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Central Semiconductor Corp CMLDM5757 TR PBFREE

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型号

CMLDM5757 TR PBFREE

utmel 编号

420-CMLDM5757 TR PBFREE

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

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CMLDM5757 TR PBFREE
CMLDM5757 TR PBFREE Central Semiconductor Corp MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

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CMLDM5757 TR PBFREE详情

Central Semiconductor Corp CMLDM5757 TR PBFREE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    24 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 表面安装

    YES

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    430mA

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    900m Ω @ 430mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    175pF @ 16V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.2nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.43A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.35W

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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