Central Semiconductor Corp CMLDM8002AG TR PBFREE

工厂交货时间

24 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280mA

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.72nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

50V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.28A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant