Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832DS TR

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TDFN Exposed Pad

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

Reach合规守则

compliant

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.65W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

220pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.65W

场效应管特性

逻辑电平门