Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

1.65W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 1.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

590pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.078Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard