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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.969553
10
¥4.68826
100
¥4.422886
500
¥4.172535
1000
¥3.936348
Central Semiconductor Corp CMLDM8120G TR PBFREE
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- 对比
CMLDM8120G TR PBFREE
420-CMLDM8120G TR PBFREE
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-563, SOT-666
大陆
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MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CMLDM8120G TR PBFREE详情
Central Semiconductor Corp CMLDM8120G TR PBFREE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
860mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
350mW Ta
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 950mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.56nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.86A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CMLDM8120G TR PBFREE拓展信息
Central
Central
Central
Central
Central
Central
Central
Central
Central
Central Semiconductor






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