CMPDM303NH TR
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Central Semiconductor Corp CMPDM303NH TR

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型号

CMPDM303NH TR

utmel 编号

420-CMPDM303NH TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-3 Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F

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CMPDM303NH TR Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F

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CMPDM303NH TR详情

Central Semiconductor Corp CMPDM303NH TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-3 Flat Leads

  • 表面安装

    YES

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.6A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Power Dissipation (Max)

    350mW Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    40m Ω @ 1.8A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    590pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    13nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.6A

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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