Central Semiconductor Corp CZDM1003N TR
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CZDM1003N TR
420-CZDM1003N TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
1最小包装量--
CZDM1003N TR详情
Central Semiconductor Corp CZDM1003N TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
Reach合规守则
compliant
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
975pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
RoHS状态
符合RoHS标准
CZDM1003N TR拓展信息
Central Semiconductor
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Central
Central
Central
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