Central Semiconductor Corp CZDM1003N TR

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2016

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

975pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准