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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.565667
10
¥1.477046
100
¥1.393438
500
¥1.314565
1000
¥1.240159
Comchip Technology BC858BW-G
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- 对比
BC858BW-G
513-BC858BW-G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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Bipolar Transistors - BJT -30, -.1
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC858BW-G详情
Comchip Technology BC858BW-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
TIN
最大功率耗散
150mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
配置
Single
功率 - 最大
150mW
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
650mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2.2mA 5V
最大集极截止电流
15nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
30V
频率转换
100MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC858BW-G拓展信息
Comchip Technology
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