BC858BW-G
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Comchip Technology BC858BW-G

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型号

BC858BW-G

utmel 编号

513-BC858BW-G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT -30, -.1

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BC858BW-G
BC858BW-G Comchip Technology Bipolar Transistors - BJT -30, -.1

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BC858BW-G详情

Comchip Technology BC858BW-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    TIN

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    650mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    220 @ 2.2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    650mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    30V

  • 频率转换

    100MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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