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技术文档
型号
CGHV31500F1
品牌
Cree
utmel 编号
564-CGHV31500F1
商品类别
晶体管 - JFET
封装
440226-2
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange
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CGHV31500F1详情
技术参数
Cree CGHV31500F1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
法兰安装
Pd - Power Dissipation
418 W
Maximum Operating Temperature
+ 75 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Drain Gate Voltage
- 2.7 V
Id - Continuous Drain Current
500 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Transistor Polarity
N-Channel
RoHS
N
Shipping Restrictions
This product may require additional documentation to export from the United States.
包装
Tray
工作频率
2.7 GHz to 3.1 GHz
输出功率
57.9 dBm
晶体管类型
HEMT
增益
CGHV31500F1拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:GTVA107001FC-V1-R0
封装:--
品牌:Cree
库存:0
型号:CGHV35400F1
封装:440225
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