CGHV35400F1
CGHV35400F1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Cree CGHV35400F1

  • 收藏
  • 对比

型号

CGHV35400F1

品牌

Cree

utmel 编号

564-CGHV35400F1

商品类别

晶体管 - JFET

封装

440225

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHz, IM FET, Flange

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
CGHV35400F1
CGHV35400F1 Cree RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHz, IM FET, Flange

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

CGHV35400F1详情

Cree CGHV35400F1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    440225

  • Shipping Restrictions

    This product may require additional documentation to export from the United States.

  • RoHS

    Details

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    125 V

  • Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

    - 10 V, 2 V

  • Id - Continuous Drain Current

    24 A

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 125 C

  • Mounting Styles

    法兰安装

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    3 V

  • 工作频率

    2.9 GHz to 3.5 GHz

  • 输出功率

    400 W

  • 晶体管类型

    HEMT

  • 增益

    11 dB

0个相似型号

CGHV35400F1拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z