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技术文档
型号
CGHV35400F1
品牌
Cree
utmel 编号
564-CGHV35400F1
商品类别
晶体管 - JFET
封装
440225
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHz, IM FET, Flange
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CGHV35400F1详情
技术参数
Cree CGHV35400F1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Shipping Restrictions
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RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
125 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 10 V, 2 V
Id - Continuous Drain Current
24 A
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Mounting Styles
法兰安装
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
工作频率
2.9 GHz to 3.5 GHz
输出功率
400 W
晶体管类型
HEMT
增益
11 dB
CGHV35400F1拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:GTVA107001FC-V1-R0
封装:--
品牌:Cree
库存:0
型号:CMPA5259080S
封装:QFN-48
型号:CGHV31500F1
封装:440226-2
型号:CGHV38375F
封装:440226
库存:1
型号:CMPA2735030S
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型号:CGB5P-CEN
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