Cypress Semiconductor Corp CYD18S18V18-200BBAXC
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CYD18S18V18-200BBAXC
603-CYD18S18V18-200BBAXC
存储器
256-LBGA
大陆
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IC, SRAM, 18MBIT, 3.3NS, BGA-256
--最小包装量--
CYD18S18V18-200BBAXC详情
Cypress Semiconductor Corp CYD18S18V18-200BBAXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
256-LBGA
引脚数
256
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
已出版
2011
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
256
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
电压 - 供电
1.42V~1.58V 1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.5V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
CYD18S18
引脚数量
256
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.58V
内存大小
18Mb 1M x 18
端口的数量
2
电源电流
770mA
时钟频率
200MHz
访问时间
3.3ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
20b
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.3A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
1.4V
长度
17mm
座位高度(最大)
1.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CYD18S18V18-200BBAXC拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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