Diodes DMN2009UCA4-7

包装/外壳

Axial, Box

安装类型

表面贴装

越来越多的功能

Flanges

供应商器件包装

X4-DSN1717-4

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.4V @ 640µA

Product Status

活跃

厂商

Diodes Incorporated

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.3A (Ta)

Base Product Number

DMN2009

Package

Bulk

Package Type

X4-DSN1717-4

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

操作温度

-55°C ~ 250°C

系列

Military, MIL-PRF-39009, RER50

包装

Bulk

尺寸/尺寸

1.062 L x 1.080 W (26.97mm x 27.43mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

温度系数

±20ppm/°C

电阻

21.5 Ohms

组成

Wirewound

功率(瓦特)

20W

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

失败率

R (0.01%)

配置

-

引线样式

焊片

功率 - 最大

900mW

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1780pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.5nC @ 4V

漏源电压 (Vdss)

20V

产品类别

MOSFET

涂层/外壳类型

Aluminum

信道型

N

场效应管特性

Standard

特征

Military, Moisture Resistant, Non-Inductive

产品类别

MOSFET

座位高度(最大)

0.561 (14.25mm)