DMN33D8LVQ-7
DMN33D8LVQ-7

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Diodes DMN33D8LVQ-7

  • 收藏
  • 对比

型号

DMN33D8LVQ-7

品牌

Diodes

utmel 编号

671-DMN33D8LVQ-7

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
DMN33D8LVQ-7
DMN33D8LVQ-7 Diodes MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

DMN33D8LVQ-7详情

Diodes DMN33D8LVQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 供应商器件包装

    SOT-563

  • Base Product Number

    DMN33

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    350mA (Ta)

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 配置

    2 N-Channel (Dual)

  • 功率 - 最大

    430mW (Ta)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.4Ohm @ 250mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 100µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    48pF @ 5V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.23nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 场效应管特性

    Standard

0个相似型号

DMN33D8LVQ-7拓展信息

2N7002W-7-F
2N7002W-7-F

Diodes Incorporated

MMBF170-7-F
MMBF170-7-F

Diodes Incorporated

ZXMP10A13FTA
ZXMP10A13FTA

Diodes Incorporated

DMG1013T-7
DMG1013T-7

Diodes Incorporated

ZVP4525E6TA
ZVP4525E6TA

Diodes Incorporated

DMG2305UX-7
DMG2305UX-7

Diodes Incorporated

DMG1012UW-7
DMG1012UW-7

Diodes Incorporated

DMG6968U-7
DMG6968U-7

Diodes Incorporated

DMP2035U-7
DMP2035U-7

Diodes Incorporated

BSS84-7-F
BSS84-7-F

Diodes Incorporated

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z