Diodes DMT12H060LCA9-7

包装/外壳

Axial, Box

安装类型

表面贴装

越来越多的功能

Flanges

供应商器件包装

X2-DSN1515-9

Package

Bulk

Base Product Number

DMT12

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

厂商

Diodes Incorporated

Power Dissipation (Max)

1.1W (Ta)

Product Status

活跃

Package Type

X4-DSN1515-9

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

操作温度

-55°C ~ 250°C

系列

Military, MIL-PRF-39009, RER50

包装

Bulk

尺寸/尺寸

1.062 L x 1.080 W (26.97mm x 27.43mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

温度系数

±50ppm/°C

电阻

1.74 Ohms

组成

Wirewound

功率(瓦特)

20W

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

失败率

R (0.01%)

引线样式

焊片

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

115 V

Vgs（最大值）

±5.5V

产品类别

MOSFET

涂层/外壳类型

Aluminum

信道型

P

场效应管特性

-

特征

Military, Moisture Resistant, Non-Inductive

产品类别

MOSFET

座位高度(最大)

0.561 (14.25mm)