Diodes Inc. BS250PSTOA
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BS250PSTOA
671-BS250PSTOA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3
1最小包装量--
BS250PSTOA详情
Diodes Inc. BS250PSTOA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
质量
453.59237 mg
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
-45 V
RoHS
Compliant
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-W3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BS250PSTOA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Zetex / Diodes Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ZETEX PLC
Risk Rank
5.04
Drain Current-Max (ID)
0.23 A
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
700 mW
端子位置
SINGLE
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-230 mA
JESD-30代码
R-PSIP-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
700 mW
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
45 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
230 mA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
14 Ω
输入电容
60 pF
DS 击穿电压-最小值
45 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
14 Ω
最大rds
14 Ω
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BS250PSTOA拓展信息
Diodes Incorporated
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