Diodes Inc. BSS123-13-F
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BSS123-13-F
671-BSS123-13-F
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
1最小包装量--
BSS123-13-F详情
Diodes Inc. BSS123-13-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSS123-13-F
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diodes Incorporated
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
5.52
Drain Current-Max (ID)
0.17 A
包装
卷带
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
170 mA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
10 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
6 pF
BSS123-13-F拓展信息
Diodes Incorporated
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