Diodes Inc. BSS84Q-13-F
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BSS84Q-13-F
671-BSS84Q-13-F
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
BSS84Q-13-F详情
Diodes Inc. BSS84Q-13-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
Continuous Drain Current Id
130
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
BSS84
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
厂商
Diodes Incorporated
Power Dissipation (Max)
300mW (Ta)
Product Status
活跃
包装
卷带
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
MOSFETs
技术
Si
功率耗散
300
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10Ohm @ 100mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.59 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
50 V
Vgs(最大值)
±20V
产品类别
MOSFET
连续放电电流(ID)
130 mA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
信道型
P
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
BSS84Q-13-F拓展信息
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