DMN1007
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Diodes Inc. DMN1007

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型号

DMN1007

utmel 编号

671-DMN1007

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

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DMN1007 Diodes Inc. Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

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DMN1007详情

Diodes Inc. DMN1007重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    DMN100-7

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Diodes Incorporated

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    DIODES INC

  • Risk Rank

    5.36

  • Part Package Code

    SC-59

  • Drain Current-Max (ID)

    1.1 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    235

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.1 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.24 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.5 W

0个相似型号

DMN1007拓展信息

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