Diodes Inc. DMN1007
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DMN1007
671-DMN1007
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
--最小包装量--
DMN1007详情
Diodes Inc. DMN1007重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
DMN100-7
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diodes Incorporated
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
5.36
Part Package Code
SC-59
Drain Current-Max (ID)
1.1 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.1 A
漏极-源极导通最大电阻
0.24 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
DMN1007拓展信息
Diodes Incorporated
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