Diodes Inc. DMN2027USS-13

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current

10.5(A)

Drain-Source On-Volt

20(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SO

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±12(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

表面贴装

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

DMN2027USS-13

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5.66

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

7.3 A

包装

卷带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2(W)

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.02 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.81 W