Diodes Inc. DMN4010LK3-13
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DMN4010LK3-13
671-DMN4010LK3-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 11.9A I(D), 40V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,
1最小包装量--
DMN4010LK3-13详情
Diodes Inc. DMN4010LK3-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
23 Weeks
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements per Chip
1
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Channel Mode
Enhancement
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
DMN4010LK3-13
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diodes Incorporated
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
11.9 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.0115 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
信道型
N
雪崩能量等级(Eas)
37 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
宽度
6.2mm
高度
2.39mm
长度
6.7mm
DMN4010LK3-13拓展信息
Diodes Incorporated
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