Diodes Inc. DMP2100UQ-7

工厂交货时间

15 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

4.3

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

DMP2100U

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V

厂商

Diodes Incorporated

Power Dissipation (Max)

800mW (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

DMP2100UQ-7

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

1.63

Drain Current-Max (ID)

4.3 A

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

216 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.1 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±10V

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

MOSFET

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.038 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.3 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

达到SVHC

compliant