Diodes Inc. DMS3016SFG-13
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DMS3016SFG-13
671-DMS3016SFG-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, POWERDI3333-8, 8 PIN
1最小包装量--
DMS3016SFG-13详情
Diodes Inc. DMS3016SFG-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
GREEN, PLASTIC, POWERDI3333-8, 8 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
DMS3016SFG-13
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Diodes Incorporated
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
7 A
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
980 mW
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
30 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
7 A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10.2 A
漏极-源极导通最大电阻
0.013 Ω
输入电容
1.886 nF
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.08 W
最大rds
13 mΩ
达到SVHC
无SVHC
DMS3016SFG-13拓展信息
Diodes Incorporated
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