Diodes Inc. ZVN3306F
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ZVN3306F
671-ZVN3306F
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
ZVN3306F详情
Diodes Inc. ZVN3306F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
MSL
-
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
150mA
Drain Current-Max (ID)
0.15 A
Risk Rank
0.82
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
ZVN3306F
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
330mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.15 A
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
信道型
N通道
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
达到SVHC
compliant
ZVN3306F拓展信息
Diodes Incorporated
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