Diodes Inc. ZVN4106F

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

-

Continuous Drain Current Id

200mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ZVN4106F

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

0.89

Drain Current-Max (ID)

0.2 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2 A

漏极-源极导通最大电阻

2.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N通道

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

达到SVHC

compliant