Diodes Inc. ZVP3306F
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ZVP3306F
671-ZVP3306F
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
ZVP3306F详情
Diodes Inc. ZVP3306F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
MSL
-
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
90mA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
ZVP3306F
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diodes Incorporated
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
0.84
Drain Current-Max (ID)
0.09 A
包装
切割胶带
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
330 mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
330 mW
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
-60 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
90 mA
阈值电压
-3.5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.09 A
漏极-源极导通最大电阻
14 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
信道型
P Channel
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.33 W
漏源电阻
14 Ω
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
宽度
3.05 mm
达到SVHC
无SVHC
ZVP3306F拓展信息
Diodes Incorporated
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