Diodes Inc. ZVP3310F

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

-

Continuous Drain Current Id

75mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ZVP3310F

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Drain Current-Max (ID)

0.075 A

Risk Rank

7.03

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.075 A

漏极-源极导通最大电阻

20 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

P Channel

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.33 W

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF