Diodes Inc. ZXMC3A17DN8
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ZXMC3A17DN8
671-ZXMC3A17DN8
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOIC-8
1最小包装量--
ZXMC3A17DN8详情
Diodes Inc. ZXMC3A17DN8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
质量
73.992255 mg
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
29.2 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.25 W
通道数量
2
功率耗散
1.25 W
接通延迟时间
1.7 ns
上升时间
2.9 ns
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
5.4 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
30 V
漏源电阻
65 mΩ
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
长度
5 mm
达到SVHC
无SVHC
ZXMC3A17DN8拓展信息
Diodes Incorporated
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