Diodes Inc. ZXMN2B01F

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

-

Continuous Drain Current Id

2.4A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ZXMN2B01F

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

N-channel enhancement mode MOSFET

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

0.96

Part Package Code

SOT-23

Drain Current-Max (ID)

0.0024 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

806mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

N通道

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

46 pF

达到SVHC

compliant