Diodes Inc. ZXMP10A13FTC
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ZXMP10A13FTC
671-ZXMP10A13FTC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
1最小包装量--
ZXMP10A13FTC详情
Diodes Inc. ZXMP10A13FTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Continuous Drain Current Id
700
Schedule B
8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
5.9 ns
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
ZXMP10A13FTC
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Zetex / Diodes Inc
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ZETEX PLC
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
0.7 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
806
接通延迟时间
1.6 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
2.1 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.7 A
漏极-源极导通最大电阻
1 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
信道型
P
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.625 W
漏源电阻
1 Ω
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
ZXMP10A13FTC拓展信息
Diodes Incorporated
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