Diodes Incorporated 2DA1201Y-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.5W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

160MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2DA1201

JESD-30代码

R-PSSO-F3

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

160MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

转换频率

160MHz

最大击穿电压

120V

集电极基极电压(VCBO)

-120V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

连续集电极电流

-800mA

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant