2N7002E-7
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Diodes Incorporated 2N7002E-7

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型号

2N7002E-7

utmel 编号

671-2N7002E-7

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Channel

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2N7002E-7
2N7002E-7 Diodes Incorporated MOSFET N-Channel

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2N7002E-7详情

Diodes Incorporated 2N7002E-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2N7002E-7

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    DIODES INC

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Risk Rank

    5

  • Drain Current-Max (ID)

    0.24 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn85Pb15)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    235

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.24 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    3 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5 pF

0个相似型号

2N7002E-7拓展信息

DW52C6V8LED02
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DL4754A
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