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技术文档
型号
2N7002F
品牌
Diodes Incorporated
utmel 编号
671-2N7002F
商品类别
集成电路(IC)
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
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2N7002F详情
技术参数
Diodes Incorporated 2N7002F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
5.76
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
150 °C
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
Reach合规守则
unknown
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.475 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.83 W
2N7002F拓展信息
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公司资质
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型号:AP119-89
封装:--
品牌:Diodes Incorporated
库存:0
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库存:235690
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