ON Semiconductor FJE3303H1TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

hFEMin

8

Number of Elements

1

已出版

2005

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

20W

额定电流

1.5A

频率

4MHz

基本部件号

FJE3303

元素配置

Single

功率耗散

20W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

1.5A

连续放电电流(ID)

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 500mA, 1.5A

转换频率

4MHz

漏源击穿电压

700V

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

高度

11mm

长度

8mm

宽度

3.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅