ON Semiconductor BD442

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

供应商器件包装

TO-225AA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Current-Collector (Ic) (Max)

4A

hFEMin

15

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

36W

基本部件号

BD442

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

36W

增益带宽积

3MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

800mV

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 300mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

最大击穿电压

80V

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅