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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 APT13005DT-G1
APT13005DT-G1
APT13005DT-G1

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Diodes Incorporated APT13005DT-G1

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型号

APT13005DT-G1

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-APT13005DT-G1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 450V 4A 3-Pin TO-220AB Tube

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APT13005DT-G1
APT13005DT-G1 Diodes Incorporated Trans GP BJT NPN 450V 4A 3-Pin TO-220AB Tube

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APT13005DT-G1详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated APT13005DT-G1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 质量

    2.299997g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    450V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    900mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    4A

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    75W

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    4MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    450V

  • 最大集电极电流

    4A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    8 @ 2A 5V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    900mV @ 1A, 4A

  • 转换频率

    4MHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    9V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Diodes Incorporated APT13005DT-G1.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & APT13005DT-G1相似的参数规格。

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