ON Semiconductor KST63MTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

5000

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

350mW

额定电流

-500mA

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅