Diodes Incorporated BC817-40-7-F
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BC817-40-7-F
671-BC817-40-7-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE
--最小包装量--
BC817-40-7-F详情
Diodes Incorporated BC817-40-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700mV
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
310mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC817
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
350mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC817-40-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
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