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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.60514
10
¥2.457675
100
¥2.318564
500
¥2.187324
1000
¥2.063514
Diodes Incorporated BC847BVC-7
- 收藏
- 对比
BC847BVC-7
671-BC847BVC-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC847BVC-7详情
Diodes Incorporated BC847BVC-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
150mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC847BV
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
600μm
长度
1.6mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC847BVC-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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