Diodes Incorporated BC856BW-7-F

工厂交货时间

19 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-323

质量

6.010099mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-65V

最大功率耗散

200mW

额定电流

-100mA

频率

200MHz

基本部件号

BC856BW

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

200mW

增益带宽积

200MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

65V

最高频率

200MHz

最大击穿电压

65V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅