Diodes Incorporated BFQ31ATC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

参考标准

CECC

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

600MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 3mA 1V

转换频率

600MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

100mA

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

1.7pF

噪音数字(分贝类型@ f)

6dB @ 60MHz

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

高度

1mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅