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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 BFS17HTA
BFS17HTA
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Diodes Incorporated BFS17HTA

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型号

BFS17HTA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-BFS17HTA

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN RF

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BFS17HTA
BFS17HTA Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT NPN RF

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BFS17HTA详情

技术参数

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Diodes Incorporated BFS17HTA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    15V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    70

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1996

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    15V

  • 最大功率耗散

    330mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    25mA

  • 频率

    1.3GHz

  • 基本部件号

    BFS17

  • 资历状况

    不合格

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    330mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    1.3 GHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    15V

  • 最大集电极电流

    25mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    70 @ 2mA 1V

  • 转换频率

    1300MHz

  • 最大击穿电压

    15V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    25V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    2.5V

  • 连续集电极电流

    25mA

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    4.5dB @ 500MHz

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3.05mm

  • 宽度

    1.4mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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