Diodes Incorporated BSS123ATC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

170mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 170mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 25V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

170mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

漏源击穿电压

100V

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅