Diodes Incorporated BSS123Q-13

工厂交货时间

14 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Diodes Incorporated

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

300mW (Ta)

Continuous Drain Current Id

170

Qualification

AEC-Q101

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

300 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

Qg - Gate Charge

-

Rds On - Drain-Source Resistance

6 Ohms

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

170 mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS123Q-13

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

1.51

Drain Current-Max (ID)

0.17 A

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.17 A

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N通道

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF

产品类别

MOSFET