Diodes Incorporated BSS138TC
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BSS138TC
671-BSS138TC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23-3
1最小包装量--
BSS138TC详情
Diodes Incorporated BSS138TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300mW Ta
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电压 - 额定直流
50V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
360mW
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 220mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
200mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
漏源击穿电压
50V
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSS138TC拓展信息
Diodes Incorporated
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