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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BST52TA
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Diodes Incorporated BST52TA

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型号

BST52TA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-BST52TA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-89

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BST52TA Diodes Incorporated TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-89

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技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated BST52TA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • 引脚数

    3

  • 质量

    51.993025mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    80V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.3V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    2000

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    80V

  • 最大功率耗散

    1W

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    500mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BST52

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    1W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    NPN - Darlington

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    80V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    1000 @ 150mA 10V

  • 最大集极截止电流

    10μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.3V @ 500μA, 500mA

  • 转换频率

    150MHz

  • 最大击穿电压

    80V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    90V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    10V

  • 连续集电极电流

    500mA

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    4.5mm

  • 宽度

    2.5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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公司资质

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AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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