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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.299802
10
¥4.056416
100
¥3.82681
500
¥3.6102
1000
¥3.405848
Diodes Incorporated DMN1008UFDF-7
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- 对比
DMN1008UFDF-7
671-DMN1008UFDF-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N-CH30V SC-59
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN1008UFDF-7详情
Diodes Incorporated DMN1008UFDF-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
995pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23.4nC @ 8V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.0125Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN1008UFDF-7拓展信息
Diodes Incorporated
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